來(lái)源:巴丁微
發(fā)布時(shí)間:2025-2-5
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BDP8603是一種交流轉(zhuǎn)直流的全橋轉(zhuǎn)換芯片,內(nèi)部集成20V耐壓的高壓功率MOSFET。其中,NMOS典型導(dǎo)通電阻RON是50毫歐(VGS =4.5V);PMOS典型導(dǎo)通電阻RON是90毫歐(VGS =-4.5V)。BDP8603具有集成MOS導(dǎo)通電阻小、低閾值開(kāi)啟電壓(典型0.7V);應(yīng)用靈活;采用SOT-23-6L封裝,體積小等特點(diǎn)。其典型的電路原理圖如下:
BDP8603可廣泛應(yīng)用于整流橋、交流充電的手持設(shè)備、交流轉(zhuǎn)直流應(yīng)用、無(wú)線充電等領(lǐng)域。其中,交流轉(zhuǎn)直流應(yīng)用案例如下圖:
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