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半橋SiC控制器應用方案

來源：感算

作者：感算

發(fā)布時間：2024-3-18

閱讀量：104

半橋SiC控制器應用方案1

 

概述：

碳化硅高壓電機控制器是一種新型的電機控制器，它采用了碳化硅半導體器件，具有高壓、高效、高速、高功率密度等特點。半橋SiC控制器采用日立能源碳化硅半橋模塊，日立能源半橋SiC控制器峰值功率達到430KW?？刂破魇褂萌樟⒛茉?200V RoadPak SiC phase-leg module,該模塊是針對所有EV應用的最新創(chuàng)新解決方案。模塊采用最新一代SiC MOSFET芯片,基板采用pin-fin結構提高了其冷卻性能。模塊雜散電感非常小,使逆變器總雜散電感降到最低。驅(qū)動方案采用NXPGD3160新一代的智能芯片,該芯片是針對SiC模塊推出的新一代智能驅(qū)動芯片,柵極峰值15A電流部力短路檢測<1.0us,滿足功能安全ASIL D等級；控制方案采用NXP SBC基礎芯片F(xiàn)S6513,滿足功能安全ASIL D等級；控制器結構箱體為壓鑄模設計,防護等級IP67；在汽車領域，碳化硅高壓電機控制器可以應用于電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車等多種類型的汽車中，可以實現(xiàn)電機的高效控制，提高汽車的性能和經(jīng)濟性。

 

 

半橋SiC控制器應用方案2

 

 

 

主要特點：

高壓：采用低雜散電感的碳化硅模塊，使得碳化硅電機控制器電池平臺電壓提升到800V平臺高效：碳化硅模塊低導通和開關損耗，碳化硅電機控制器的最高功率達到99.6%高速：碳化硅模塊的高開關頻率，電機控制器的轉速可達2萬-3萬高功率密度：碳化硅晶圓單體電流密度大，可大幅度減少模塊封裝面積，碳化硅模塊結溫175度，且熱阻少，可減化散熱設計；碳化硅模塊開關頻率高，可減小無源組件設計，易實現(xiàn)功率密度達到45KW/L

 

性能參數(shù)：

1.輸入電壓范圍：550V~900V

2.功率：430KW

3.尺寸：308.50mm×231.11mm×145.00mm

 

應用范圍：

適合于乘用車、大巴車、卡車應用

 

半橋SiC控制器應用方案3

 

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