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瑞薩全新晶圓技術(shù)可以幫助MOSFET實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻降低30%、柵漏電荷減少40%、封裝尺寸縮小50%的目標(biāo)

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應(yīng)用提供理想的大電流開關(guān)性能。基于這一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)自行車、充電站、電動(dòng)工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。

瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻（MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻）大幅降低30%；更低的導(dǎo)通電阻有助于顯著降低客戶系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的功率損耗。

REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性（向柵極施加電壓所需的電荷量）降低10%，Qgd（在“米勒平臺(tái)”階段需要注入柵極的電荷量）減少40%。

除了優(yōu)秀的電氣特性外，瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TOLL和TOLG封裝，與其它制造商的器件引腳兼容，且封裝尺寸比傳統(tǒng)TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks，便于光學(xué)檢測(cè)。

Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示：“多年來，瑞薩在MOSFET領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，憑借我們強(qiáng)大的制造能力和多個(gè)高產(chǎn)能工廠的供貨保障，瑞薩致力于為客戶提供卓越的產(chǎn)品和服務(wù)?！?/span>

成功產(chǎn)品組合

瑞薩將全新MOSFET與其產(chǎn)品組合中的眾多器件相結(jié)合，推出多種“成功產(chǎn)品組合”方案，包括48V電動(dòng)平臺(tái)和三合一電動(dòng)汽車單元（逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器）等。這些方案基于相互兼容且可無縫協(xié)作的產(chǎn)品，具備經(jīng)驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu)并帶來經(jīng)優(yōu)化的低風(fēng)險(xiǎn)設(shè)計(jì)，以加快產(chǎn)品上市速度。瑞薩現(xiàn)已基于其產(chǎn)品陣容中的各類產(chǎn)品，推出超過400款“成功產(chǎn)品組合”，使客戶能夠加速設(shè)計(jì)過程，更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。